SJ 50033.33-1994 半导体分立器件.F1121型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范
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ID： |
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文件大小(MB)： |
0.55 |
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页数： |
14 |
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日期： |
2024-7-27 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961,SJ 50033/33-94,半导体分立器件,F1121、F1129 型 NPN 硅功率,达林顿晶体管详细规范,1994-09-30 发布1994-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,F1121型NPN硅功率达林顿晶体管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type FH121 NPN,silicon power Darlington transistor,SJ 50033/33-94,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 FH121型NPN硅功率达林顿晶体管（以下筒称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》L3条规定,提供质量的保证等级为普军、特军和超特,军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4023 - 86半导体分立器竹第2部分:整流二极管,GB 4587-84双极型晶体管/试方法,GB 7581 -87半导体分立器件外影尺寸,GJB 33 -85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86半导体分立器件试验方法,3襄求,3.I 详细要求,各项窶求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料应为可伐。引出端表面应为锡层或悼层,中华人民共和国电子工业部!9944）9^30发布1994-12-01 实施,-1 一,SJ 50033/33-94,3.2.2 器件结构,单片、三重扩散、台面结构,3.2.3 电原理图,电原理图应按图1上的规定,3.2.4 外形尺寸,外形尺寸应符合GB7581中B2-01B型的规定。见图2,3.3 最大额定值和主要电特性（T = 25C ）,3.3.1 最大犧定值,型号,■ PM,Tc = 25t,(W),￥cbo Yebo,(V),y面,(V),%,A,Jb,A （じ）,J,(C),FU21A,F1121B,F1121C,F1121D,FH21E,F1121F,30,300,400,500,600,700,800,5,300,400,500,600,700,800,5 0.5 -55- + 175 -55-+ 175,注」）当Tc>25C时,按0.2W/セ线拴降额,3.3.2主要电特性（丁a=25C）,セ限q,mA,ん除,Vce = 5V,/c= IA,厶!T2,35V,2 A,^FE3,Vce = 5V,fc = 5A,h卜,Vce=5V,JC=1A,/=1KIU,た二5V,/C = 1A,产 IMHb,/2A,/3 = 0'02A,(V),Ic = 5A,fB=0.05A,(V),最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值量小值最大值,色标I,红,黄,绿,300,600,1200,500,1000,2000,1100,2200,250,500,1000 一,300,600,1200,3,6,12,75,150,300,2.5 — 3,0,-2,SJ 50033/33-94,续表,や限值,1c = 2A,厶"02A,(V),35A,30.05A,(V),［由,V(B= VcBO,(mA),Vra=5V,(mA),〇,310V,% = 0,必k出,(pF),型号、,最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值量大值,色标,紅,黄,绿,— 2.0 一2.5 — 0.1 一20 一200,型亂,R岫"-1：,Vcs=10V,Ic = 1A,25C